台积电与ARM联合开发10nm FinFET工艺64位ARM处理器

奥萨斯

　　外设天下讯　10月7日消息，最近台积电与ARM公司联合宣布，基于他们在20nm和16nm工艺上成功的合作经验，未来双方将以10nm FinFET工艺合作打造ARMv8-A架构的64位ARM处理器，预计最快可在2015年第四季度开始就可以为客户提供基于10nm FinFET技术的64位ARM处理器的设计方案。

　　台积电与ARM公司已经开展多年合作，他们早前在20nm和16nm工艺上就已经有相当丰富的合作经验，双方确信未来10nm FinFET工艺将为ARM处理器行业带来更加的效能和功耗优势。早前台积电与ARM已经完成16nm FinFET工艺下的64位big.LITTLE架构ARM处理器的生产验证，华为海思也成为了台积电16nm FinFET工艺的首个客户。

　　目前台积电和ARM公司正在就10nm FinFET工艺展开紧密合作，双方对此次合作都充满信心，都希望合作成果可以为客户提供先进的制程工艺，同时为客户产品的开发加速。