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本帖最后由 可乐 于 2011-2-27 19:43 编辑
接上篇我们谈到微动的损坏多为氧化问题的存在。消灭氧化可以用真空环境等方式储存。那么氧化的速度,氧化的环境,微动氧化的条件是什么。
首先用毁灭式试验方法选取5年前的7N,6年前的IC,8年前的HUANO三种每种2个作为实验样本。试验目的:观察微动的氧化程度。
先打开IC发现氧化程度很高,在触电的周围已经呈现大面积的黑色触电几乎已经变成全黑。而7N打开后发现氧化的程度就很低,微动的下底部金属发出少量的绿色,触电无明显氧化迹象。而打开国产的
HUANO微动后让我大为吃惊的是丝毫无氧化迹象。金属片灿灿放光。
研究结果稍后放出。 |
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