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美光发布20nm闪存的M500DC SSD:速度提升,数据寿命下降

2014-4-23 19:13| 发布者: 奥萨斯| 评论: 0

摘要:   外设天下讯 4月23日消息,美光的20nm闪存固态硬盘中已经发布了M500、M550两代产品了,不过这两个系列都是消费级的,美光企业级硬盘此前还是25nm甚至34nm工艺的,对升级20nm闪存很慎重。如今美光终于推出了面向 ...
  外设天下讯 4月23日消息,美光的20nm闪存固态硬盘中已经发布了M500、M550两代产品了,不过这两个系列都是消费级的,美光企业级硬盘此前还是25nm甚至34nm工艺的,对升级20nm闪存很慎重。如今美光终于推出了面向企业级SSD的M500DC系列SSD,使用的是Marvell 9187主控,NAND升级到了20nm MLC,读写性能倒是提升了,但是数据写入寿命下降了很多。


  美光M500DC的命名显示它跟之前的M500有很大的关系,多出的DC应该是指Data Center数据中心之意,二者都使用了Marvell 88SS9187主控以及美光的20nm MLC闪存,之前使用的多是25nm、34nm的MLC甚至SLC闪存。

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  Anandtech网站将美光近年来的企业级SSD做了简单的统计,列出的企业级SSD是5个型号,再算上没有列出的P300、P410m、P322h这三款,美光目前的企业级SSD总计有8款之多,而消费级只有2款。

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  美光的M500DC系列SSD容量有120GB、240GB、480GB及800GB四种,比之前的P400m的100/200/400GB容量更大,还多了800GB选择,读取速度也从之前的380MB/s提高到了425MB/s,写入速度也从之前200、310MB/s的水平提高到了200、330、375MB/s,4K随机读取性能从52K、54K、60K提升到了63K/65K,4K随机写入性能从21K、26K的水平提高到了23K、33K、35K、24K(800GB的还有所下降了)的水平。

  不好的一面就是因为使用20nm MLC闪存,M500DC系列的数据写入寿命下降了,P400M的100、200、400GB型号的数据写入寿命分别是1.75、3.5、7.0PB,而M500DC的120、240、480GB以及数据写入寿命分别是0.5、1.0、1.9、1.9PB,下降的还是非常明显的。

  M500DC使用的主控跟M500是一样的,NAND也是128Gbit核心的,P/E次数都是3000次,MLC在企业级SSD也很常见,不过为了提升可靠性,厂商通常使用eMLC(Enterprise MLC),M500DC上美光使用的是则是消费级MLC(consumer-grade MLC,cMLC)。

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480GB型号有6颗闪存,真实容量是768GiB

  cMLC显然会更便宜,但是为了提高可靠性,美光还得做好基础工作。以M500DC的480GB为例,它总计有6片显存,真实容量是768GiB,远高于标称的480GB容量,换句话说只有58%的总容量是给客户使用的,剩余的一大部分空间都视作OP空间当备胎。

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M500DC系列SSD的RAIN比例

  美光之所以这么“浪费”,就是通过提升RAIN(独立NAND冗余阵列)空间来保证SSD拥有更多的OP空间,详细介绍可以参考之前的文章。从Anandtech给出的表格来看,120、240、480GB型号拿出了三分之一的容量做OP空间,800GB比例略少,21%的容量做了OP空间,而之前的M500、M550上OP空间所占的比例不过6%左右。

性能测试

  由于主打企业级市场,Anandtech的M500DC的性能测试也没有太多内容,主要是阐述M500DC提升可靠性的技术。连续、随机性能测试中对比了Intel的DC3500系列,简单看下吧。

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4K随机读取速度测试

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4K随机写入速度性能测试

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128KB连续读取速度测试

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128KB连续写入速度测试

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4K读取、写入混合测试


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