外设天下讯 8月6日消息，三星新近宣布他们突破了现有NAND闪存技术的规模限制，开始量产业界第一款3D垂直NAND（V-NAND）闪存。 随着性能和面积比方面的提升，新的3D垂直NAND闪存将大范围应用于消费电子和企业应用方面，包括嵌入式NAND存储和SSD固态硬盘。 新的3D垂直NAND闪存可以在单个芯片上实现128Gb的容量。它使用了三星的垂直cell结构，该结构基于3D CTF（Charge Trap Flash）技术和垂直堆叠制程技术。得益于此，新产品可以提供超过两倍于20纳米平面NAND闪存的容量。 据Engadget报道，三星表示新技术令产品的可靠性为上一代的2至10倍，写入速度可以达到原来的2倍，单个芯片可以包含24层堆叠cell单元。 |
